| 【発明の名称】 |
セラミック多層基板 |
| 【発明者】 |
【氏名】瀬川 茂俊
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| 【目的】 |
半導体チップを搭載したセラミック多層基板を、メイン回路基板に接続した場合に、線膨張係数の差から、前記セラミック多層基板の電極端子付近に生じるクラックをなくす。 |
| 【構成】 |
セラミック多層基板１に形成した電極端子３のさらに上層には、電極端子３の外周部を被覆し、その径小な内側を部分的に露出するような最外層を設ける。電極端子３の外周部をセラミック多層基板１自体で補強する構造とする。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】表面に半導体素子が実装され、裏面が半田電極を介してメイン回路基板に接続されるセラミック多層基板において、前記メイン回路基板との接続のために電極端子を形成したさらにその上層に、前記電極端子の径小な部分を残して被覆する最外層を形成したことを特徴とするセラミック多層基板。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）方式で実装を行う、半導体実装用のセラミック多層基板に関するものであり、特に半導体を搭載した前記基板と、メイン回路基板との接続構造を改善するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化及び回路のデジタル化に伴い、高密度な回路基板が要求されてきている。ＩＣのピン数の増加に伴い、半導体モジュールの形態は、ＱＦＰに代わって、ＢＧＡやＬＧＡタイプが主流となりつつある。
【０００３】図３は従来の半導体モジュールの断面図を示すものであり、セラミック多層基板１の表面には、半導体チップ２を搭載しており、その裏面にはメイン回路基板４との接続に用いる、ＢＧＡ，ＬＧＡ用の電極３端子を形成している。またメイン回路基板４にも電極端子３に対向して電極端子５を形成してあり、セラミック多層基板１とメイン回路基板４とは、半田６を介して接続している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来の半導体実装モジュールにおいては、樹脂製のメイン回路基板４と、セラミック多層基板１との熱膨張係数が異なるため次のような問題があった。すなわちヒートサイクル試験（例えば−５５℃〜＋１２５℃）を行うと、その応力により、樹脂製のメイン回路基板４に比べ強度の弱いセラミック多層基板１には、電極端子３の外周端付近からその内部にわたってクラック７が入ってしまう。
【０００５】そこで本発明は、セラミック基板に形成する電極端子の構造を改善することにより、上述のようなクラックの発生を防止することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明のセラミック多層基板は、表面に半導体素子が実装され、裏面が半田電極を介してメイン回路基板に接続されるセラミック多層基板において、前記メイン回路基板との接続のために電極端子を形成したさらにその上層に、前記電極端子の径小な部分を残して被覆する最外層を形成したことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、セラミック多層基板に形成する電極端子を、その外周部を被覆することによって、メイン回路基板との間で熱膨張係数の差から生じる応力は分散する。このためセラミック多層基板と電極端子との接続強度は高まり、クラックの発生を防止できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明のセラミック多層基板の実施例について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における半導体モジュールの断面図であり、図２はセラミック多層基板の平面図を示している。
【０００９】本実施例のセラミック多層基板１は、グリーンシート積層体の表面に、メイン回路基板４との接続に用いる電極端子３を形成した後、さらにその上面に、電極端子３に対向する位置に、前記電極端子３に比べ径小な貫通孔を形成したグリーンシートを積層する。
【００１０】そしてこの積層体を脱バインダーし焼成すると、外周が被覆されその径小な内部が部分的に露出した電極端子３を形成することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上の様に本発明のセラミック多層基板は、電極端子の外周端をさらに最外層により被覆している。このため熱膨張係数の差により、セラミック多層基板から電極端子を引き離そうとする応力が働いても、電極端子の端部を把持し補強しているので、クラックなどは発生せず、信頼性の高い半導体モジュールを提供することができる。
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| 【出願人】 |
【識別番号】０００００５８２１
【氏名又は名称】松下電器産業株式会社
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| 【出願日】 |
平成７年（１９９５）６月２９日 |
| 【代理人】 |
【弁理士】
【氏名又は名称】滝本 智之 （外１名）
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| 【公開番号】 |
特開平９−１８１４５ |
| 【公開日】 |
平成９年（１９９７）１月１７日 |
| 【出願番号】 |
特願平７−１６３４５３ |
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