| 【発明の名称】 |
キャパシタンス構成方法 |
| 【発明者】 |
【氏名】伊藤 文人
【氏名】寿 国梁
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| 【目的】 |
キャパシタンスを含む半導体装置の回路面積を縮小する。 |
| 【構成】 |
単位電極用導線を対局電極用金属電極を迂回するように湾曲させ、対局電極用金属電極に面取りを施し、あるいは隣接単位電極列の周期を相互にシフトさせ、間隔の確保を容易にした。 |
【特許請求の範囲】
【請求項１】 半導体装置内の第１層に複数の単位電極を略直線的に配列し、第１層と隣接する第２層にこれら単位電極に対向する対局電極を形成し、これによって複数の単位キャパシタンスを形成し、これら第１、第２層とは別個の第３層に単位電極および対局電極にそれぞれ接続される複数の第１導線および第２導線を形成し、前記単位電極および対局電極からそれぞれ層間を貫通して第３層に至る第１金属端子コンタクト部および第2金属端子コンタクト部を形成し、前記第３層でこれら第1、第2金属端子コンタクト部に略長方形の第1金属端子頭部および第2金属端子頭部をそれぞれ接続し、この第1、第2金属端子頭部をそれぞれ介して単位電極および対局電極を第１、第２導線にそれぞれ接続し、相隣接する単位電極は別個の第１導線に接続し、所定個数の単位キャパシタンスを並列接続することによって所定容量のキャパシタンスを構成するキャパシタンス構成方法において、第２導線が第２金属端子頭部に接続される位置の近傍で、この第２導線に隣接する第1導線が第２金属端子頭部周囲を迂回するようにこの第１導線を湾曲させることを特徴とするキャパシタンス構成方法。
【請求項２】 第２金属端子頭部を第1導線の湾曲に沿った斜めの辺をもつ形状に形成することを特徴とする請求項１記載のキャパシタンス構成方法。
【請求項３】 第２導線は第1導線から離間するように第２金属端子頭部に対して偏位して配置されていることを特徴とする請求項１記載のキャパシタンス構成方法。
【請求項４】 相隣接する単位電極の列を、配列周期を略半周期だけシフトさせることを特徴とする請求項１記載のキャパシタンス構成方法。
【請求項５】 半導体装置内の第１層に複数の単位電極を略直線的に配列し、第１層と隣接する第２層にこれら単位電極に対向する対局電極を形成し、これによって複数の単位キャパシタンスを形成し、これら第１、第２層とは別個の第３層に単位電極および対局電極に接続される複数の第１導線および第２導線を形成し、前記単位電極および対局電極から層間を貫通して第３層に至る金属端子コンタクト部を形成し、前記第３層でこの金属端子コンタクト部に略長方形の金属端子頭部を形成し、この金属端子頭部を介して金属端子コンタクト部を第１、第２導線にそれぞれ接続し、相隣接する単位電極は別個の第１導線に接続し、所定個数の単位キャパシタンスを並列接続することによって所定容量のキャパシタンスを構成するキャパシタンス構成方法において、前記金属端子頭部には面取を施すことを特徴とするキャパシタンス構成方法。
【請求項６】 半導体装置内の第１層に複数の単位電極を略直線的に複数列配列し、第１層と隣接する第２層にこれら単位電極に対向する対局電極を形成し、これによって複数の単位キャパシタンスを形成し、これら第１、第２層とは別個の第３層に単位電極および対局電極を接続するための複数の第１導線および第２導線を形成し、前記単位電極および対局電極から層間を貫通して第３層に至る金属端子コンタクト部を形成し、前記第３層でこの金属端子コンタクト部に略長方形の金属端子頭部を形成し、この金属端子頭部を介して単位電極および対局電極を第１、第２導線にそれぞれ接続し、相隣接する単位電極は別個の第１導線に接続し、所定個数の単位キャパシタンスを並列接続することによって所定容量のキャパシタンスを構成するキャパシタンス構成方法において、相隣接する単位電極の列を、配列周期を略半周期だけシフトさせることを特徴とするキャパシタンス構成方法。
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【発明の詳細な説明】【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置におけるキャパシタンス構成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明の出願人はＬＳＩにおけるアナログアーキテクチャを種々提案しており、高精度のアナログ演算を実現している。この際キャパシタンスその他の素子の精度が重要であるが、キャパシタンスの構成方法に関しても特開平７−２１１８６０号において、キャパシタンス容量の高精度化について提案を行っている。
【０００３】特開平７−２１１８６０号では、２次元的な単位キャパシタンスの配列において、隣接単位キャパシタンスを別個のキャパシタンスに振分ける。図５はこのような方法によって構成されたキャパシタンスを示すものであり、複数の単位電極１が２次元的に配列され、これら単位キャパシタンスは複数の導線２に接続されている。各単位電極に対向する対局電極（図示省略）が単位電極に隣接した層に形成され、対局電極は、導線２と同一層に形成された複数の導線３に接続されている。単位電極には、単位電極の層から導線２の層に至る金属端子コンタクト部４が接続され、導線２の層において金属端子コンタクト部４には略長方形の金属端子頭部５（詳細を図６に示す。）が接続されている。対局電極には、対局電極の層から導線２の層に至る金属端子コンタクト部６が接続され、導線２の層において金属端子コンタクト部６には略長方形の金属端子頭部７が形成されている。そして単位電極列における隣接する単位電極は別個の導線２に接続され、容量精度のバラツキを最小限に抑えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような構成においては、一列の単位電極列に沿って少なくとも２本の単位電極用導線２が延在することになり、これら導線２と、対局電極用導線３、金属端子頭部５、７との間隔を確保するために、回路面積の縮小が困難であった。これは半導体装置の集積度を向上する上で大きな障害となっていた。
【０００５】本発明はこのような従来の問題点を解消すべく創案されたもので、従来に比較して回路面積を大幅に減少し得るキャパシタンス構成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明に係るキャパシタンス構成方法は、単位電極用導線を対局電極用の金属端子頭部を迂回するように湾曲させ、対局電極用の金属端子頭部に面取りを施し、あるいは隣接単位電極列の周期を相互にシフトさせ、間隔の確保を容易にしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】次に本発明に係るキャパシタンス構成方法の実施例を図面に基づいて説明する。
【０００７】
【実施例】図１は第１実施例によって構成された半導体装置の複数層を同時に表示する平面透視図であり、従来例と同一もしくは相当部分には同一符号を付して示す。
【０００８】図１において、複数の単位電極１が直線的に配列された単位電極列Ｒ１〜Ｒ３が複数並列され、各単位電極１には金属端子コンタクト部（以下コンタクト部という。）４が接続されている。単位電極１とは別個の層に、単位電極と対向する対局電極（図示省略）が形成され、この対局電極には金属端子コンタクト部（以下コンタクト部という。）６が接続されている。単位電極１および対局電極とは別個の層に、これら電極の接続のための導線２、３が形成され、コンタクト部４、６は層を貫通してこの導線の層に到達している。コンタクト部４、６には導線の層において略長方形状の金属端子頭部（以下頭部という。）５、７がそれぞれ接続され、導線２、３はこの頭部においてコンタクト部４、６にそれぞれ接続されている。
【０００９】一列の単位電極列において、隣接する単位電極は別個の導線２に接続され、１個のキャパシタンスのための単位キャパシタンスが分散されるようになっている。導線２は各単位電極列の両辺にそって延在され、対局電極のための導線３は単位電極列の間に単位電極列に沿って延在されている。対局電極のためのコンタクト部６は隣接単位電極の中間位置に対応した位置、すなわち単位電極のためのコンタクト部６から最大限に離間した位置に配置されている。
【００１０】導線３に隣接しつつ延在する導線２には、頭部７の近傍において、頭部７の周囲を迂回するように湾曲する湾曲部Ｂが形成され、この部分における頭部７との間隔を確保し易いようになっている。これによって導線２、３の間隔を従来よりも狭めることが可能であり、回路面積を減少し得る。
【００１１】また頭部７は湾曲部Ｂの形状に沿った斜めの辺を有する形状、すなわち４５度回転した正方形状に形成され、その外周の角部と導線３との距離が確保されるようになっている。この点においても回路面積の縮小、集積度向上が可能とされている。
【００１２】図２は、第２実施例による半導体装置の部分拡大図であり、単位電極１のためのコンタクト部４に接続された頭部５には、その角部に面取Ｃが施されている。図１に示したように、１列の単位電極列に沿って２本の導線２が設けられるが、ある頭部５と、これには接続されていない導線２との間隔を確保する必要がある。湾曲部Ｂは頭部５周囲を迂回することによってその角部に対向する部分を有することになり、面取Ｃはこの部分との距離を確保する上で有効である。
【００１３】図３は本発明の第３実施例による半導体装置を示し、複数の単位電極１を含む複数の単位電極列Ｒ１〜Ｒ５が形成され、第１実施例と同様に、各単位電極列には２本ずつの導線２が設けられ、単位電極列の間に対局電極のための導線３が設けられている。
【００１４】各単位電極列Ｒ１〜Ｒ５は一定間隔で単位電極１を配列してなり、その配列周期は全ての単位電極列に共通である。そして隣接する単位電極列は、その周期が半周期だけシフトして配列され、各単位電極が隣接単位電極列の単位電極と真横の位置に並ばないようになっている。
【００１５】これによって、隣接単位電極列の単位キャパシタンス相互の電磁誘導的相互作用を防止しつつ相互の間隔を従来よりも狭めることができ、回路面積の減少に寄与し得る。
【００１６】図４は本発明の第４実施例による半導体装置を示し、前記第１実施例と第３実施例を組合せた構成よりなる。
【００１７】ずなわち、対局電極の導線３に隣接しつつ延在する単位電極の導線２には、対局電極のための頭部７の近傍において、頭部７の周囲を迂回するように湾曲する湾曲部Ｂが形成され、この部分における頭部７との間隔を確保し易いようになっている。また隣接する単位電極列は相互に半周期シフトした配列よりなり、単位電極間の間隔が確保されている。さらに頭部７は４５度回転した正方形状に形成され、その外周の角部と導線３との距離が確保されている。
【００１８】そして導線３は、頭部７およびコンタクト部６の中心を通過せずに、導線２から離間するように偏位して配線され、導線２、３間の間隔が確保されている。
【００１９】このような構成により、金属端子７と導線２との間隔確保が容易となり、回路面積縮小が可能となる。
【発明の効果】前述のとおり、本発明に係るキャパシタンス構成方法は、単位電極用導線を対局電極用金属端子頭部を迂回するように湾曲させ、対局電極用金属端子頭部に面取りを施し、あるいは隣接単位電極列の周期を相互にシフトさせ、間隔の確保を容易にしたので、従来に比較して回路面積を減少し、半導体装置の集積度を高め得るという優れた効果を有する。
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| 【出願人】 |
【識別番号】３９００１０５１５
【氏名又は名称】株式会社鷹山
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| 【出願日】 |
平成８年（１９９６）６月７日 |
| 【代理人】 |
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 誠
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| 【公開番号】 |
特開平９−３３１０２４ |
| 【公開日】 |
平成９年（１９９７）１２月２２日 |
| 【出願番号】 |
特願平８−１６８５８９ |
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