| 公開番号 | 発明の名称 |
| 特開平９−３３１０１５ | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０１６ | マルチチップモジュール基板を用いた半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０１７ | 過電流保護装置 |
| 特開平９−３３１０１８ | 半導体装置 |
| 特開平９−３３１０１９ | 半導体装置 |
| 特開平９−３３１０２０ | 誘電体薄膜キャパシタ素子及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０２１ | 抵抗回路及びその調整方法 |
| 特開平９−３３１０２２ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０２３ | 半導体集積回路および半導体装置 |
| 特開平９−３３１０２４ | キャパシタンス構成方法 |
| 特開平９−３３１０２５ | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０２６ | 読み出し専用半導体記憶装置及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０２７ | 半導体装置およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０２８ | 半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０２９ | 半導体メモリ装置とその製造方法 |
| 特開平９−３３１０３０ | 半導体記憶装置 |
| 特開平９−３３１０３１ | 強誘電体を用いた半導体集積回路とその製造方法 |
| 特開平９−３３１０３２ | 半導体記憶装置 |
| 特開平９−３３１０３３ | 半導体コンデンサーの製造方法及びその構造 |
| 特開平９−３３１０３４ | 酸化物電極膜の形成方法 |
| 特開平９−３３１０３５ | 誘電体薄膜キャパシタ素子及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０３６ | 半導体集積回路装置 |
| 特開平９−３３１０３７ | 容量蓄積部およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０３８ | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０３９ | 半導体記憶装置 |
| 特開平９−３３１０４０ | 半導体集積回路 |
| 特開平９−３３１０４１ | 二重積層型キャパシタおよびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０４２ | 半球状の粒状シリコンの成長方法 |
| 特開平９−３３１０４３ | 半導体記憶装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０４４ | 半導体記憶装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０４５ | 半導体メモリデバイスおよびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０４６ | 半導体記憶装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０４７ | 半導体装置 |
| 特開平９−３３１０４８ | 半導体装置 |
| 特開平９−３３１０４９ | 貼り合わせＳＯＩ基板の作製方法及びＳＯＩ基板 |
| 特開平９−３３１０５０ | 半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０５１ | 光電変換半導体装置 |
| 特開平９−３３１０５２ | 裏面照射型固体撮像素子およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０５３ | 受光素子を有する半導体装置及びその製造方法 |
| 特開平９−３３１０５４ | 光電変換装置 |
| 特開平９−３３１０５５ | 固体撮像装置 |
| 特開平９−３３１０５６ | 固体撮像装置 |
| 特開平９−３３１０５７ | 固体撮像装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０５８ | 固体撮像素子 |
| 特開平９−３３１０５９ | ２重障壁構造とその製造方法 |
| 特開平９−３３１０６０ | 電荷転送装置とその製造方法 |
| 特開平９−３３１０６１ | 半導体装置の製造方法 |
| 特開平９−３３１０６２ | 半導体装置およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０６３ | 高耐圧半導体装置およびその製造方法 |
| 特開平９−３３１０６４ | 量子効果素子、量子効果素子の製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |